本报讯（融媒体中心 李玉凤）7月25日，北京经济技术开发区（北京亦庄）碳化硅功率芯片IDM企业——北京芯合半导体有限公司（以下简称“芯合半导体”）发布自主研发生产的SiC SBD（碳化硅二极管）、SiC MOSFET（碳化硅三极管）两个系列的多款碳化硅功率器件，为半导体产业发展注入“芯”动力。

　　作为用来控制电流的重要半导体器件，SBD和MOSFET广泛应用于电力电子领域。而被称为第三代半导体关键材料的碳化硅（SiC），更是开启了功率半导体的新时代。芯合半导体此次推出的碳化硅功率器件，采用了第三代半导体材料碳化硅和领先的芯片设计及制造工艺技术，具有更耐高温、更耐高压、高频率、低功耗等优势，可以广泛应用于新能源汽车、光伏逆变、电力储能、服务器电源、工业电源变频、智能电网、轨道交通等各个领域。尤其在新能源汽车领域，碳化硅功率器件有助于实现新能源车电力电子驱动系统轻量化、高效化，在新能源车的主驱逆变器等关键电控部件中将发挥更重要的作用。

　　“我们此次推出的1200V 17mΩ和13mΩ碳化硅MOSFET，可用于新能源电动车主驱逆变器，将电池释放出来的直流电转换成交流电，驱动马达让汽车跑得快跑得远。”芯合半导体总经理赵清介绍道。芯合半导体开发的多款SiC MOSFET产品，电压涵盖650V-1700V，导通电阻涵盖13mΩ-160mΩ；SiC SBD产品，电压涵盖650V-1700V，电流涵盖10A-60A。各款产品性能行业领先，具有更高的击穿电压（BVD）、更小的漏电流（IR）、更小的比导通电阻（Rsp），应用更安全、效率更高。这些性能对标国际一流水平、成本更低的碳化硅功率器件批量生产后，将极大缓解此类关键器件依赖国际进口、国内产能小而散的局面，推动第三代半导体功率器件国产化。

　　碳化硅器件的技术壁垒更多来自于制造环节，芯合半导体企业的IDM模式（即垂直整合制造模式，是指企业业务范围涵盖芯片设计、晶圆制造、封装及测试等环节），具有产品生产周期快、生产质量可靠、可信的供应能力、基于客户需求定制化开发等诸多优势。

　　“我们具有丰富经验的碳化硅器件设计和制造团队，在SiC功率芯片设计和制造方面积累了深厚的技术实力，并创下了仅用205天即实现产线通线的纪录。”芯合半导体总工程师王敬介绍，芯合半导体专利布局涵盖了SiC SBD、MOSFET器件新型元胞结构、先进终端结构、制备关键工艺以及模块等。

　　“发布会当天，来自全国各地的30余家下游用户及合作伙伴亲临现场，共同展望产业发展，这既是对我们产品的认可，更是对我们团队的信任。”赵清表示，作为一家专注于碳化硅功率芯片的IDM企业，芯合半导体拥有一支技术和产业化经验丰富的核心团队，秉承“极致、和谐、坚持”的企业文化，深耕功率半导体，重点致力于开发碳化硅分立器件和功率模块及应用，为实现高功率密度电能转换系统的高效率、小型化和轻量化提供完整的半导体解决方案，产品主要为SiC SBD 、SiC MOSFET和SiC模块。

　　在北京经开区一流营商环境和创新产业生态的支撑下，芯合半导体已在北京经开区布局了一条6英寸碳化硅器件生产线，年产能可达3万片。

　　“自入驻北京亦庄以来，我们获得了经开区在政策、空间、人才、一对一服务等各方面的支持，期待在这片创新沃土上实现更高质量的发展。”赵清表示，展望未来，在技术路线图上，芯合半导体将持续向着碳化硅更高能量密度器件方向发展，从平面型结构到沟槽型结构，赶超国际一流水平；从产品类型结构上，将根据国家新能源发展战略及市场需求，丰富完善产品结构，尤其是针对新能源汽车领域的相关产品；在产能规划上，芯合半导体将在未来三年建设更大规模的碳化硅器件生产制造基地，预计实现年产30万片8英寸晶圆的产能规模。