本报讯（融媒体中心 李玉凤）“12英寸深硅刻蚀机设备装机量已超百腔，市占率逐年提升；12英寸高介电常数原子层沉积设备获批量订单。”日前，北京经开区集成电路装备龙头企业北方华创科技集团股份有限公司（以下简称“北方华创”）相关负责人透露，企业推出的多款设备凭借领先的性能优势、产能优势斩获批量订单，获得市场认可。

　　北方华创推出的12英寸深硅刻蚀机PSEV300，机台采用快速气体和射频切换控制系统结合的方式，能在大于50∶1高深宽比深硅刻蚀中精准控制侧壁形貌，实现侧壁无损伤和线宽无损伤，其工艺性能优于当前行业指标，刻蚀均匀性、选择比更佳。在结构系统方面，采用每腔单片设计，具有更好的气流场均匀性和真圆度工艺表现，确保半导体器件制造工艺质量和稳定性更优。机台可同时配置6个腔室，产能、性能优异。此外，通过优化机台晶圆边缘保护装置，提高产品良率，效果优于当前行业产品指标，广受市场好评。

　　“12英寸深硅刻蚀机PSEV300，历经迭代，已获得国内多家12英寸先进集成电路厂商的认可，成为TSV量产生产线主力机台，并扩展至功率器件、CIS（CMOSImageSensor，图像传感器）等领域，全面应用于国内各大12英寸主流Fab厂。”上述负责人表示。

　　同时，北方华创12英寸高介电常数原子层沉积设备ScalerHK430于近期实现稳定量产，获得批量订单，市占率不断攀升，标志着北方华创CVD（化学气相沉积）先进工艺设备解决方案的成功应用，为进一步拓宽高端设备赛道注入新的动力。

　　据悉，ScalerHK430设备采用CrossFlow（横流）的进气方式，能够实现更好的工艺稳定性控制，运用旋转Heater（加热基座）结构设计，能够达成更好的薄膜沉积均匀性及优异的颗粒控制表现。在结构系统方面，采用每腔单片式设计，在气流场均匀性、温度控制等方面表现优异，单片工艺结果一致性大幅提高；此外，反应源采用双源瓶设计，能够实现更高的Uptime（运行时间），同时源瓶采用真空加热方式，温度控制更加精准，安全系数更高，相较于同类型产品具备更好的颗粒控制能力；在软件方面，通过全自动流程及相关数据监控、安全互锁设定等为实现稳定量产提供更好的运行环境，与同类型产品相比，具备更高的安全性及稳定性。广泛应用于Logic（逻辑）、DRAM（动态随机存储器）等领域。