作为首都实体经济的压舱石，高精尖产业主阵地，北京亦庄深入贯彻全国两会精神，牢牢把握新一轮科技革命和产业变革趋势，在推进科技创新和产业创新深度融合中培育和壮大新质生产力，加快塑造高质量发展新动能新优势。即日起，融媒体中心推出“深入贯彻全国两会精神加快发展新质生产力北京亦庄当好开路先锋”栏目，生动展示全区上下大力发展新质生产力，当好首都高质量发展开路先锋的生动实践。

　　国产12英寸双大马士革CCP刻蚀机、多款12英寸立式炉原子层沉积（ALD）设备……近日，北方华创科技集团股份有限公司（简称“北方华创”）发布多款新品，以科技支撑产能，塑造产业新的竞争力。

　　“AccuraLX设备作为北方华创推出的12英寸双大马士革CCP（电容耦合等离子体）介质刻蚀产品，为北方华创开拓了一个全新的产品市场领域，能够与现有的12英寸硅、金属刻蚀机形成完整的刻蚀工艺解决方案。”北方华创相关负责人介绍道。

　　刻蚀机作为半导体制造产业链中的关键技术装备，其发展水平直接影响着集成电路的微细化程度、性能提升与良率控制，是推动半导体产业实现高质量发展的核心驱动力。为推动半导体产业高质量发展，北方华创组建专业研发团队开发面向关键制程的12英寸介质刻蚀机AccuraLX，机台主要覆盖逻辑领域多个技术节点中以AIO(双大马士革刻蚀工艺)、Contact(接触孔)为代表的关键介质刻蚀制程，并可扩展到存储领域的CMOS(互补金属氧化物半导体)相关制程，适用于Low-K（低介电常数）介质及常规介质材料的刻蚀工艺。

　　通过Continueplasma(连续等离子体)设定及传送流程优化，可在保证产品良率的同时实现更高产能；通过Showerhead(进气硅电极)高密度开孔率设计，可实现优异的产品均匀性及降低设备Fatalarcing（致命性打火）风险；采用的多区气源流量控制及温度调节设计，可实现微区域的精准化调节，满足客户定制化需求……AccuraLX设备工艺性能优于当前行业指标。同时，AccuraLX所搭建的12英寸CCP刻蚀机硬件架构和技术平台，可以用于存储、CIS(互补金属氧化物半导体图像传感器)、Power(功率半导体)等多个领域，应用前景广阔。据介绍，目前，AccuraLX设备已得到多个客户的青睐，完成多项工艺验证。

　　此外，北方华创紧跟产业发展步伐，依托深厚的立式炉装备技术积累，还研发推出3款12英寸立式炉原子层沉积设备，进入客户端验证，且实现大规模量产。

　　等离子体增强氮化硅（PEALDSi3N4）原子层沉积立式炉，突破了射频等离子体产生和系统控制、原位清洗、腔室流场设计、炉体温控以及电气软件交互快速响应控制等一系列关键技术。设备广泛应用于极大规模先进集成电路存储和逻辑工艺器件阻挡层（ALDSi3N4/HRP）、侧壁绝缘层和掺杂薄膜沉积（SiCN、SiBN）工艺，已斩获多家逻辑和存储领域头部客户订单，装机量和重复订单量快速攀升。作为国产首批上市量产的等离子体增强氮化硅原子层沉积立式炉，为极大规模先进集成电路制造提供了可靠的装备支撑。

　　低介电常数（Low-K）原子层沉积立式炉，突破了液态源供应控制、排气快速切换控制、原位清洗以及多元素工艺调控等新技术，降低了硅源薄膜的介电常数。设备主要应用于12英寸极大规模集成电路的栅极侧壁薄膜沉积工艺，以获得低介电常数、提升薄膜耐腐蚀性，工艺指标优于同类产品，满足大规模集成电路对高性能绝缘层的需求，目前设备已进入客户端工艺验证阶段。

　　间隙填充氧化硅原子层沉积立式炉，突破了器件高深宽比成膜填充和高品质自由基氧化膜沉积技术，优化了腔室流场和进气管设计，显著提高了晶圆间成膜均匀性，并获得了良好的薄膜绝缘性能和器件高深宽比填充效果。设备主要应用于存储领域氧化硅绝缘层和介质填充层，尤其在3D-NAND（闪存）先进技术节点——绝缘介质间隙氧化硅填充工艺中广泛应用。在存储阵列中，该氧化硅薄膜对与其相关的前后道膜层功能发挥着关键作用，是立式炉在该领域工艺制程中的骨干设备，市场前景广阔。目前，设备已进入客户端。

　　据悉，北方华创经过多年的技术创新及产业化验证，已实现立式氧化/退火炉，立式LPCVD和立式ALD系列设备全面布局，并预计在今年下半年推出立式炉原子层沉积设备的其他DEMAX系列产品。

　　融媒体中心李玉凤